3D NAND технология

Американский производитель накопителей Micron Technology заявил о глобальном прорыве в области флеш-памяти типа 3D NAND, благодаря которому ноутбуки можно будет оснащать накопителями емкостью свыше 10 ТБ.

Технология была изобретена при помощи инженеров Intel. Основная идея – это использование огромного количества ячеек, наложенных друг на друга. Инженеры смогли расположить таким образом 32 слоя ячеек. Реализовав метод хранения двух битов данных в одной ячейке, они получили чипы емкостью 32 Гб.

Чтобы избежать ухудшения работы памяти сотрудники Micron и Intel использовали ячейки с плавающим затвором. Ячейки такого типа пользуются огромной популярностью во флеш-памяти с планарной структурой и ни разу не применялись в 3D NAND.  Также новая память достаточно надежна для использования в дата-центрах.

3D NAND технология позволит оснащать ноутбуки накопителями 10 Тб и более

Двухмерная NAND-память приближается к необходимой технологической границе и тем самым может перевернуть мир индустрии флеш-памяти. 3D NAND довольно перспективная технология и поможет производителям памяти следовать закону Мура, что поможет обеспечить рост производительности ноутбуков.

Также Micron Technology заявили, что данная технология позволяет производить SSD-накопители емкостью 3,5 Тб, размер которых будет не более жевательной резинки, а напкопители емкостью 10 Тб и выше будут размером с 2,5-дюймовый диск.

Первые образцы таких накопителей емкостью 32 Гб уже поставляются заказчикам. Серийный выпуск таких чипов Micron собираются начать в конце 2015 года, а в продаже они появятся в первом квартале 2016 года.